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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

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Éditeur :

Wiley-IEEE Press

Paru le : 2004-04-05

A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
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À propos


Éditeur

Collection
n.c

Parution
2004-04-05

Pages
648 pages

EAN papier
9780471238454

Auteur(s) du livre



Caractéristiques détaillées - droits

EAN PDF
9780471660996
Prix
203,56 €
Nombre pages copiables
0
Nombre pages imprimables
648
Taille du fichier
33761 Ko

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